SHOTTKI BARERLI METALL -YARIM ÓTKIZGISHLI DIODLARINIŃ KEŃISLIK ZARYAD OBLASTIN ANIQŃAW
Article Sidebar
Main Article Content
Abstract
This article analyzes semiconductor diodes with metal contacts of the Schottky barrier. To create an ohmic contact, the Fermi level in the semiconductor and metal must be equal. Due to the redistribution of charges, the energy bands bend towards the original location of the Fermi level of metals and semiconductors, which creates a space charge region (SCR).
Article Details
References
Губанов А.И. Теория выпрямляющего действие полупроводников.-M.: Гостехиздат,1956.-348с.
Henish H K. Rectifying semiconductor contacts.-Oxford: Clarendon Press, 1957.-372p.
Пикус Г. Е. Основы теории полупроводниковых приборов.-M.: Наука, 1965.-448с.
Зи С. М. Физика полупроводниковых приборов.-Пер. с англ./ Пер. A/Ф. Трутко.- M.: Энергия, 1973.-656с.
Стрика В. И. Теоретические основы работы контакта металл-полупроводник. -Киев : Наукова думка,1974.-264с.
Стиха В. И., Бузаиева Е. В., Радзиевский И. А. Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки (физика, технология, применение).-M.: Сов.радио.1974.-248с.
СВЧ полупроводниковые приборы и их применение/ Под ред. Г Уотсоиа: Пер. с англ./Под ред. В. С. Эткина. -Мир.: Мир, 1972.-664с.
Милис А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы метал-полупроводник: Пер . с аигл.-М.: Мир, 1975.-459с.
Физические основы работы контакта металл-полупроводник с барерьом Шоттки.-Киев: Общество “Знание” УССР, 1975.-36с.
Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки и их применение.- Общество “Знание” УССР, 1975.-36с.
Стриха В. И ., Бузанева Е. В. Достожения, перспективы исследования и применение приборов с барьером Шоттки.- Общество “Знание” УССР, 1975.-48с.
Stokoe T. Y., Parrot J. E. Inclusion of carrier temperature effects in thermionic diffision teory of the Shottky barrier.-Sol.-St “Elektront ., 1974.v.17. №5.P.477-484.
Demoulin E., Wicle F. Inversion Layer at the interface of Schottky diodes.-Sol.- St “Elektront ., 1974.v.17. №8.p.825-833.
Padovani F. A. , Statton R. Field and thermionic -field emission in Schottky barriers.-Sol.-St. Elektron., 1966,v.9, №7.p.695-707.